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關于凝結水精處理系統(tǒng)節(jié)水減排降耗關鍵技術介紹

2020/7/27

凝結水精處理系統(tǒng)會消耗大量的除鹽水,占電廠除鹽水消耗總量的 50%以上,且設備再生過程中產生的酸堿廢水也是高鹽廢水的重要來源。對此,可通過增大周期制水量和減少自用水量大幅度降低自用水耗。采用西安熱工研究院有限公司研發(fā)的凝結水精處理系統(tǒng)節(jié)水減排降耗新技術,其中包括高速混床運行優(yōu)化技術、精處理混床智能控制技術、提高高速混床布水均勻性技術以及再生廢液中氯離子減排技術,顯著地提高了凝結水設備的周期制水量,降低水耗,同時大幅節(jié)約除鹽水和新鮮水,減少廢水排放量和酸堿用量,并且能夠極大地降低廢水零排放工程的造價和運行費用。這種過程節(jié)水法已在國內三十多家大型發(fā)電廠成功應用,是一種低成本的節(jié)水方式,具有良好的推廣應用前景。

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關于半導體工廠廢水氨氮處理的運行控制和工藝優(yōu)化介紹

2020/7/15

摘 要 介紹生化法對半導體工廠廢水 中的氨氮進行處理的系統(tǒng),主要對運行控制進行重點探討 ,且對工藝 優(yōu) 化提 出初 步設 想 。

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關于半導體工業(yè)廢水污染特征因子初探介紹

2020/7/15

摘 要 :指 出 了集 成 電路 和 印制 電路 板 是 半 導 體 工 業(yè) 的 主 要 組 成 部 分 ,而 在 生 產 過 程 中 會 大量 使 用 氫 氟 酸 , 使 得 雖 經(jīng)過 處理 后 的 生 產廢 水 中 氟 離子 濃 度仍 較 高 ,達 到 7mg/I 左 右 ;通 過 將 半 導 體 企 業(yè) 排 放 廢 水 與 生 活污水、地下水及地表水 中氟 離子濃度進行 比較 ,提 出了以氟 離子 濃度作 為半 導體工業(yè)廢 水的 污染特征 因 子 ,并 結 合 不 同雨 污 混 接 類 型 污染 特 征 因子 ,依 據(jù) 物 料 和 水 量 守 恒得 出不 同 混接 類 型 的 近 似 混 接 水 量 比 例 計 算 公 式 ,以期 為 后 續(xù) 的 雨污 混 接 溯 源 和 雨 污 改造 工程 提 供 借 鑒 。

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關于半導體工業(yè)廢水中除砷的研究介紹

2020/7/15

摘要 : 砷、鎵、銦等有毒重金屬元素作為半導體工業(yè)的主要原料 ,在加工使用過程中部分 被當作廢棄物而排放到工業(yè)廢水中 ,如果這些廢水不經(jīng)處理就直接排放到環(huán)境當中去就 會污染自然環(huán)境 ,給動植物以及人類造成危害。利用氫氧化鈣和硫酸鐵作為混凝劑對原 始廢水進行混凝沉淀 ,用膨潤土、活性炭和有機劑作為吸附劑對沉淀后的上清液進行吸附 沉淀等方法 ,對半導體工業(yè)廢水中的砷作了有效去除的研究 ,并得到了相關方法的除污效 率 ,在進行最佳化組合以后 ,得到了經(jīng)濟且有效的去除方法和藥劑組合。

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關于半導體含硅廢水形成動態(tài)膜的影響因素研究介紹

2020/7/15

摘 要: 采用半導體含硅廢水為成膜液,以平板微濾膜為基膜形成動態(tài)膜,考察了含硅廢水濃度、曝氣量、過濾速度和基膜對動態(tài)膜形成的影響。結果表明: 高濃度含硅廢水形成動態(tài)膜所需時間短,僅需 50 min。曝氣量大則不易形成動態(tài)膜,膜孔堵塞嚴重; 曝氣量小易形成動態(tài)膜,但動態(tài) 膜不牢固,易脫落; 曝氣量適當時所形成的動態(tài)膜較薄,過濾阻力小,跨膜壓力上升緩慢,最佳曝氣量為 10 L /min。過濾速度較高時易造成硅顆粒堵塞基膜膜孔,跨膜壓力上升較快,最高濾速取 0. 6 m /d。此外,在進水硅顆粒粒徑分布一定的條件下,采用 Japan - 0. 1 和 LK - 10 基膜可形成過濾性 能好的動態(tài)膜,且動態(tài)膜有利于防止基膜膜孔阻塞,對基膜具有很好的保護作用,但 PEIER 基膜形 成動態(tài)膜的過濾性能很差,不宜用作回收硅顆粒的動態(tài)膜的基膜。

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